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SPW47N60C3一级代理MOSFETN-Ch650V47ATO247-3其他IC
| 品牌： | INFINEON/英飞凌 | 型号： | SPW47N60C3 |
|---|---|---|---|
| 类型： | 其他IC | 用途： | 仪器 |
| 封装： | SPW47N60C3 | 系列： | SPW47N60C3 |
| 功率： | SPW47N60C3 | 批号： | 2018+ |
| 特色服务： | 只售原装正品 | 产品说明： | SPW47N60C3 |
| 货号： | SPW47N60C3 | 是否跨境货源： | 否 |
| 包装： | SPW47N60C3 | 应用领域： | ***/航天、汽车电子、网络通信、安防设备、医疗电子、测量仪器、智能家居、家用电器、照明电子、3C数码、广电教育、物联网IoT、可穿戴设备、新能源 |
SPW47N60C3 一级代理MOSFET N-Ch 650V 47A TO247-3 其他IC
数据列表 SPW47N60C3;
标准包装 240
包装 管件
零件状态 不適用於新設計
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 CoolMOS??
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 47A（Tc）
驱动电压（ Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 70 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 3.9V @ 2.7mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 320nC @ 10V
Vgs（值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 6800pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（值） 415W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO247-3
封装/外壳 TO-247-3
文档制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 47 A
Rds On-漏源导通电阻: 70 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 252 nC
最小工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 415 W
通道模式: Enhancement
商标名: CoolMOS
封装: Tube
高度: 21.1 mm
长度: 16.13 mm
系列: CoolMOS C3
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.21 mm
商标: Infineon Technologies
CNHTS: 8541290000
下降时间: 8 ns
HTS Code: 8541290095
MXHTS: 85412999
产品类型: MOSFET
上升时间: 27 ns
工厂包装数量: 240
子类别: MOSFETs
TARIC: 8541290000
典型关闭延迟时间: 111 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
零件号别名: SP000013953 SPW47N60C3FKSA1 SPW47N6C3XK
单位重量: 38 g
仿真模型 CoolMOS? PowerMOSFET 600V C3 Spice Model
其它有关文件 Part Number Guide
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